6月17日消息，破麒SemiAnalysis旗下STEEL實驗室發布首份公開拆解報告，麟首對華為Mate 80 Pro搭載的拆中麒麟9030 Pro芯片進行深度逆向分析。確認該芯片采用中芯國際第三代7nm級N+3工藝制造。芯國項

拆解顯示，標擊敗英中芯國際N+3工藝的破麒最小金屬間距（M0 pitch）僅為32.5nm，比英特爾18A工藝在Panther Lake CPU上使用的麟首36nm間距緊湊約10% 。

在沒有EUV光刻機的拆中情況下
，中芯國際通過純DUV光刻實現了這一指標。芯國項

N+3的標擊敗英晶體管密度達到約113.4 MTr/mm²，略高于臺積電N6的破麒107.7 MTr/mm² 。SemiAnalysis指出，麟首英特爾18A高密度庫的拆中晶體管密度比N+3高出約38%。

N+3的芯國項M0層采用自對準四重圖案化工藝 ，臺積電N6在同一層需雙重圖案化。標擊敗英這意味著更多的光罩 、更高的套刻精度要求和更復雜的工藝流程 。

麒麟9030 Pro的大核運行頻率為2.75GHz ，GPU方面 ，Maleoon 935的3DMark跑分略超驍龍8+ Gen 1
。

SemiAnalysis表示，出口管制并未完全阻斷中國芯片的進步 ，反而推動了中芯國際在沒有EUV光刻機的條件下，通過更復雜 、成本更高的DUV多重圖案化路徑實現追趕。

值得一提的是，華為已轉向韜定律技術路線，通過邏輯折疊等創新技術，以系統級集成而非單純晶體管微縮來延續性能提升。